El IRF644S es un MOSFET de potencia canal N con alta capacidad de corriente y bajo RDS(on), optimizado para aplicaciones de conmutación rápida en fuentes conmutadas, inversores y controladores electrónicos.
Su encapsulado D²PAK (TO-263) permite una buena disipación térmica y montaje superficial, ideal para equipos compactos de alta potencia.

 Características principales

• Tipo: Transistor MOSFET Canal N

• Modelo: IRF644S

• Fabricante: International Rectifier / Infineon

• Encapsulado: TO-263 (D²PAK SMD)

• Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

• Corriente de drenaje (Id): 14 A continua @ 25 °C

• Potencia disipada máxima (Pd): 125 W

• Resistencia en conducción (RDS(on)): 0.35 Ω máx. @ Vgs = 10 V

• Tensión de compuerta (Vgs): ±20 V máx.

• Temperatura de operación: -55 °C a +175 °C

• Capacitancia de entrada (Ciss): ~1000 pF

 Aplicaciones comunes

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)

• Controladores de motores DC o BLDC

• Inversores de energía (DC-AC)

• Circuitos de conmutación de potencia

• Sistemas de control automotriz

• Amplificadores de audio de potencia clase D