
Memoria Flash paralela de 4 Mbit — M29F400BB55M6
M29F400BB55M6 — Memoria Flash paralela de 4 Mbit (512 K x 8 o 256 K x 16)
₡2368.00
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Fabricante:
STMicroelectronics (ST)
Descripción breve:
El M29F400BB55M6 es un circuito integrado de memoria Flash de tipo paralelo, perteneciente a la familia M29F400 de STMicroelectronics.
Está diseñado para el almacenamiento no volátil de programas y datos, utilizado principalmente en ECUs automotrices, sistemas embebidos, telecomunicaciones y equipos industriales.
Su interfaz paralela de 8/16 bits permite una alta velocidad de acceso y compatibilidad con microcontroladores clásicos.
Características principales:
Tipo: Memoria Flash paralela
Capacidad: 4 Mbit (512 K x 8 o 256 K x 16)
Organización: seleccionable por hardware (BYTE#/WORD)
Voltaje de operación:
Alimentación (Vcc): 2.7 V a 3.6 V
Programación y borrado: misma tensión (no requiere alto voltaje)
Tiempo de acceso: 55 ns (versión BB55)
Ciclos de borrado/programación: hasta 100 000
Encapsulado: TSOP48 (Thin Small Outline Package de 48 pines)
Temperatura de operación: –40 °C a +85 °C (grado industrial)
Borrado por bloques:
8 bloques (1 × 16 KB, 2 × 8 KB, 1 × 32 KB, 4 × 64 KB)
Aplicaciones típicas:
ECUs automotrices (almacenamiento de firmware del motor, ABS, airbag, etc.)
Sistemas embebidos industriales
Electrónica de consumo (televisores, decodificadores, routers)
Instrumentación y control
Reparación y reprogramación de módulos electrónicos (EEPROM Flash)
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