El B8207NG es un transistor MOSFET de potencia tipo N de canal dual, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia en sistemas electrónicos automotrices e industriales. Ofrece baja resistencia de conducción y rápida conmutación, lo que lo hace ideal para controladores de motores, convertidores DC-DC y módulos de gestión de energía.

Características técnicas principales:

• Fabricante: ON Semiconductor

• Número de parte: B8207NG

• Tipo: MOSFET canal N doble (Dual N-Channel Power MOSFET)

• Tensión máxima drenaje-fuente (Vds): 60 V

• Corriente máxima drenaje (Id): 8 A por canal

• Resistencia de conducción (Rds(on)): 0.035 Ω típica a Vgs = 10 V

• Encapsulado: DPAK / TO-252 (como el que se observa en la imagen)

• Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20 V

• Temperatura de operación: −55 °C a +150 °C

• Aplicaciones típicas:

  • Controladores de motor y ventiladores automotrices

  • Convertidores de potencia DC-DC

  • Etapas de conmutación en ECU o BMS (Battery Management Systems)

  • Fuentes conmutadas y control de cargas inductivas