El FQPF8N60C es un MOSFET de canal N diseñado para conmutación de alta tensión y corriente moderada. Gracias a su baja resistencia de conducción (RDS(on)) y alta velocidad, se utiliza en fuentes de alimentación, inversores y circuitos de control de motores.
El encapsulado TO-220F o TO-252 (DPAK) ofrece un diseño totalmente aislado, reduciendo la necesidad de mica o aisladores adicionales.

 Características principales

• Tipo: MOSFET N-Channel de potencia

• Fabricante: Fairchild Semiconductor (ahora ON Semiconductor)

• Encapsulado: DPAK o TO-252 (montaje superficial)

• Tensión drenador-fuente (Vds): 600 V

• Corriente de drenador (Id): 7.5 A (a 25 °C)

• Disipación máxima (Pd): 110 W (con disipador adecuado)

• Resistencia de conducción (RDS(on)): 0.85 Ω máx. @ Vgs = 10 V

• Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±30 V máx.

• Carga de compuerta (Qg): 32 nC típica

• Temperatura de operación: –55 °C a +150 °C

 Aplicaciones comunes

• Fuentes conmutadas (SMPS)

• Cargadores de laptop o TV

• Inversores y convertidores DC-DC

• Circuitos de iluminación LED

• Etapas de potencia y control de motores

• Equipos industriales de control electrónico