El G7N60A4D es un transistor MOSFET de potencia tipo N de alta tensión y baja pérdida, diseñado para aplicaciones de conmutación rápida en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), convertidores, balastos electrónicos y equipos industriales. Está optimizado para ofrecer alta eficiencia y buena disipación térmica.

Características técnicas principales:

• Fabricante: Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor)

• Número de parte: G7N60A4D

• Tipo: MOSFET canal N (N-Channel Enhancement Mode)

• Tensión máxima de drenaje-fuente (Vds): 600 V

• Corriente máxima de drenaje (Id): 7 A

• Resistencia de conducción (Rds(on)): 0.75 Ω (típica a Vgs = 10 V)

• Tensión de compuerta-fuente (Vgs): ±30 V

• Disipación máxima de potencia: 125 W

• Encapsulado: TO-220

• Temperatura de operación: -55 °C a +150 °C

• Tecnología: MOSFET de cuarta generación (Advanced Planar Technology)

• Aplicaciones típicas:

  • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)

  • Convertidores DC-DC y AC-DC

  • Cargadores de batería

  • Inversores de energía

  • Equipos electrónicos automotrices o industriales