El NGD8201AG es un transistor MOSFET de canal N de potencia en encapsulado SOT-223, diseñado para aplicaciones de conmutación de corriente en equipos electrónicos de consumo, automotrices y fuentes de alimentación. Su bajo voltaje de compuerta y su resistencia reducida lo hacen ideal para controladores lógicos y circuitos de baja pérdida.

Fabricante: ON Semiconductor (actualmente bajo la marca onsemi)

Características principales:

• Tipo: MOSFET de canal N

• Encapsulado: SOT-223 (montaje superficial)

• Voltaje drenaje-fuente (Vds): 30 V

• Corriente de drenaje continua (Id): 4.7 A

• Resistencia de encendido (Rds(on)): 50 mΩ (a Vgs = 4.5 V)

• Voltaje de compuerta (Vgs): ±20 V máx.

• Potencia de disipación (Pd): 2 W

• Temperatura de operación: –55 °C a +150 °C

Aplicaciones típicas:

• Controladores de carga y motores DC pequeños.

• Conmutadores de energía en dispositivos portátiles.

• Módulos automotrices de baja potencia.

• Convertidores DC-DC y fuentes de alimentación.